雪崩光电二极管的基本结构与普通光电二极管相似，由P型和N型半导体材料构成。但与普通光电二极管不同的是，APD在P-N结附近添加了高掺杂的区域，称为雪崩区。雪崩区的高电场强度可以使载流子获得较高的能量，从而产生雪崩效应，形成电子-空穴对。

　　当光子进入APD，被吸收并转化为电子-空穴对。在雪崩区的高电场作用下，电子-空穴对会经历倍增过程，即每个载流子在撞击离子晶格时会产生更多的电子-空穴对。这种雪崩效应可以显著增加载流子的数量，从而提高光电二极管的灵敏度。最终，产生的电荷被收集到电极上形成电流输出。